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11-18

2025

KP3116SGA小功率降壓型芯片350mA電源方案,內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOS

做 5 V/12 V 小功率輔助電源，工程師面前通常橫著三道門(mén)檻：方案必須極簡(jiǎn)，BOM 能省則省；待機(jī)空耗要低于 100 mW，否則 24 h 待機(jī)評(píng)級(jí)難過(guò)；滿(mǎn)載 350 mA 時(shí)效率≥80 %，溫升還得壓住......

11-14

2025

KP321SGA離線(xiàn)式非隔離中大BUCK降壓恒壓芯片方案介紹及應(yīng)用原理

在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域，非隔離降壓方案因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、效率高等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于小家電、工業(yè)控制、LED驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。而在眾多非隔離BUCK芯片中，KP321SGA憑借其出......

11-14

2025

KP2801SGA準(zhǔn)諧振式50W升壓型恒壓功率因數(shù)校正控制器芯片詳細(xì)解析

在LED驅(qū)動(dòng)、USB-PD適配器、TV電源等“小體積+高功率因數(shù)”場(chǎng)景，傳統(tǒng)兩級(jí)PFC方案常因“元件多、體積大、調(diào)試難”被工程師詬病。必易推出的KP2801SGA，用一顆SOP-8封裝......

11-14

2025

Hi3241/Hi3242/Hi3243/Hi3244離線(xiàn)式充電器芯片應(yīng)用圖及功能描述

為了滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高效、低成本、高可靠性的需求，Hi3241/Hi3242/Hi3243/Hi3244系列芯片應(yīng)運(yùn)而生。這些芯片以其卓越的性能和靈活性，為工程師提供了理想的解決方案，不僅......

11-13

2025

FT8783ND1低成本5V2A電源芯片方案替代LP3783A(輕松過(guò)EMC,過(guò)認(rèn)證)

FT8783ND1憑借其創(chuàng)新的原邊反饋技術(shù)和集成的功率管，為5 V/2 A電源設(shè)計(jì)提供了一種全新的解決方案，不僅大幅簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，降低了成本，還輕松滿(mǎn)足了六級(jí)能效要求......

11-13

2025

Hi3245/Hi3246/Hi3247/Hi3248大宏成準(zhǔn)諧振式恒流充電器芯片詳解

在氮化鎵（GaN）還未全面普及的今天，傳統(tǒng)硅MOSFET方案如何在“小功率快充”里繼續(xù)打性?xún)r(jià)比牌？大宏成用Hi3245/46/47/48系列給出了答案：準(zhǔn)諧振+原邊控制（PSR）......

11-03

2025

FT61F02X 10bit AD型8位MCU型號(hào)解析（程序儲(chǔ)存器及腳位圖介紹）

當(dāng) 32-bit MCU 滿(mǎn)天飛、AI 邊緣計(jì)算炒得火熱時(shí)，8 位機(jī)似乎成了“上古化石”。但在量產(chǎn) 10 kk 級(jí)別的臺(tái)燈、牙刷、玩具、煙感、鋰電保護(hù)板上，老板只給你 0.x 元錢(qián)的“硅預(yù)算”，這時(shí)你會(huì)發(fā)......

10-31

2025

LP3716 12V1A自供電PSR控制芯片參考設(shè)計(jì)（電路原理圖及DEMO樣板）

芯茂微 LP3716 主打“自供電 + 原邊反饋（PSR）”，把傳統(tǒng) 15 顆料的反激 BOM 壓縮到僅需 5 顆外圍：無(wú)輔助繞組、無(wú)光耦、無(wú)高壓電解（可省）、無(wú)共模電感即可過(guò) EMI，官方參考...... 官方參考設(shè)計(jì) LP3716+SB5100L 實(shí)測(cè) 83.3% 效率、<75mW 待機(jī)、12V±0.5% 精度，堪稱(chēng)小功率適配器“極簡(jiǎn)派”代表作。

10-30

2025

FT8370A/B/C/CD/CP高性能次邊同步整流芯片典型電路及管腳定義

FT8370x 是輝芒微（FMD）推出的次邊同步整流驅(qū)動(dòng)器家族，專(zhuān)為 DCM/QR 模式反激轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。系列成員包括：FT8370A（SOP-8）、FT8370B（SOP-8）、FT8370C（SOP-8）......

10-29

2025

HN2301GN/HN2301BGN 20V P溝道增強(qiáng)型MOS管詳細(xì)解析

HN2301GN 與 HN2301BGN 是兩款20V P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用先進(jìn)溝槽工藝，主打低柵壓驅(qū)動(dòng)、低導(dǎo)通電阻、小體積負(fù)載開(kāi)關(guān)。二者封裝、電壓、電流規(guī)格幾乎一致，關(guān)鍵差異在于......

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